Samsung DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M323R1GB4DB0-CWM

Модуль оперативной памяти Samsung DDR5 объемом 8 ГБ с частотой 5600 МГц и пропускной способностью 38400 МБ/с представляет собой надежное решение для сборки или модернизации современного компьютера. Эта планка памяти формата UDIMM с 288 контактами работает при напряжении 1,1 В и имеет тайминги CAS Latency 40, что обеспечивает стабильную и быструю обработку данных. Модель M323R1GB4DB0-CWM от известного производителя Samsung произведена во Вьетнаме и не оснащена радиатором или подсветкой, что делает ее подходящей для систем, где не требуется агрессивный разгон или декоративная подсветка. Объем одного модуля составляет 8 ГБ, а в комплекте поставляется одна планка, что позволяет легко наращивать общий объем памяти в системе. Данная память не поддерживает ECC и Reg, поэтому она предназначена для стандартных настольных ПК и ноутбуков, где важна высокая скорость работы приложений, игр или многозадачности. Благодаря низкому напряжению 1,1 В модуль отличается энергоэффективностью, что способствует снижению тепловыделения. Компактные размеры (длина 13 см, высота 3 см, ширина 0,1 см) позволяют устанавливать планку в большинство корпусов без ограничений. Эта оперативная память отлично подойдет для сборки производительного офисного или домашнего компьютера, а также для апгрейда существующей системы на платформе с поддержкой DDR5. Надежность и качество Samsung подтверждаются трехлетней гарантией.