Модуль оперативной памяти Patriot DDR4 SODIMM 8Gb 2666MHz PSD48G266681S RTL PC3-21300 CL19 260-pin 1.2В single rank предназначен для установки в ноутбуки и компактные системы, где требуется форм-фактор SO-DIMM. Эта планка объемом 8 ГБ работает на частоте 2666 МГц и обеспечивает пропускную способность 21300 МБ/с, что делает ее хорошим выбором для повседневных задач, офисной работы, учебы и мультимедиа. Модель PSD48G266681S относится к линейке Signature от тайваньского производителя Patriot и отличается надежностью и стабильностью. Модуль имеет 260 контактов, напряжение питания 1.2 В и тайминги CL19-19-19-43, что соответствует стандартным спецификациям DDR4. Благодаря одноранговой компоновке и двустороннему расположению чипов, память эффективно использует доступное пространство. Отсутствие радиатора и подсветки делает ее универсальным решением для большинства ноутбуков, не поддерживающих разгон. Высота модуля составляет 1 см, длина 15 см, ширина 4 см, масса всего 0.04 кг, что упрощает установку в ограниченном пространстве. Данная оперативная память подходит для апгрейда старых или базовых конфигураций, позволяя увеличить объем ОЗУ для более комфортной работы в браузере, офисных приложениях и при просмотре видео. Patriot DDR4 SODIMM 8Gb 2666MHz обеспечивает совместимость с большинством современных ноутбуков, поддерживающих стандарт DDR4, и может использоваться как для замены вышедшего из строя модуля, так и для расширения памяти. Производитель предоставляет гарантию 3 года.
- Производитель Patriot
- гарантия 3 года
- Модель PSD48G266681S
- длина(см) 15
- высота(см) 1
- ширина(см) 4
- Тип оборудования Оперативная память
- масса(кг) 0.04
- Количество товара в УЕИ 1
- Цвет черный
- ТНВЭД 8473302008
- - Да
- Комплектация Оперативная память
- Низкопрофильная нет
- Количество контактов 260
- Подсветка Нет
- Тип памяти SO-DIMM
- Тип поставки RTL
- Линейка Signature
- Поддержка ECC Нет
- Registered Нет
- Поддержка водяного охлаждения нет
- Поддержка Reg Нет
- Нормальная операционная температура (Tcase) 85 °C
- Радиатор Нет
- Игровая Нет
- Row Precharge Delay (tRP) 19
- Объем одного модуля (ГБ) 8
- Расширенная операционная температура (Tcase) 95
- Количество рангов 1
- RAS to CAS Delay (tRCD) 19
- Напряжение (В) 1.2
- Частота (MHz) 2666
- CAS Latency (CL) 19
- Компоновка чипов на модуле Двусторонняя
- Тип памяти DDR DDR4
- Activate to Precharge Delay (tRAS) 43
- Пропускная способность (МБ/с) 21300
- Количество модулей в комплекте (шт) 1
- Низкопрофильная (Low Profile) нет
- Общий объем памяти (ГБ) 8
- Технологии разгона Нет