Модуль оперативной памяти Netac DDR3L SODIMM 4Gb PC12800 1600MHz CL11 1.35V (NTBSD3N16SP-04) предназначен для установки в ноутбуки и другие компактные устройства, поддерживающие стандарт DDR3L. Эта модель от китайского производителя Netac представляет собой планку объемом 4 ГБ с частотой 1600 МГц и пропускной способностью 12800 МБ/с, что обеспечивает стабильную работу в повседневных задачах, таких как веб-серфинг, работа с офисными приложениями и мультимедиа. Тайминги 11-11-11-28 и напряжение 1.35 В делают этот модуль энергоэффективным, что особенно важно для ноутбуков, где снижение энергопотребления способствует увеличению времени автономной работы. Форм-фактор SO-DIMM с 204 контактами и одноранговой архитектурой гарантирует совместимость с большинством современных и устаревших моделей портативных компьютеров. Модуль не имеет радиатора и подсветки, что подчеркивает его практичность и ориентированность на базовые конфигурации. Благодаря низкому напряжению 1.35 В, он также совместим с системами, поддерживающими стандарт DDR3, что расширяет возможности апгрейда. Сценарии применения включают увеличение оперативной памяти в старых ноутбуках для ускорения работы, замену вышедшего из строя модуля или сборку бюджетного мультимедийного ПК. Черный цвет печатной платы и компактные размеры (17x6x2 см) упрощают установку в ограниченном пространстве корпуса. Модуль поставляется в розничной упаковке и рассчитан на нормальную рабочую температуру до 85 °C с возможностью кратковременного повышения до 95 °C.
- Производитель Netac
- гарантия 3 года
- Модель NTBSD3N16SP-04
- длина(см) 17
- высота(см) 2
- ширина(см) 6
- Тип оборудования Оперативная память
- масса(кг) 0.1
- Количество товара в УЕИ 1
- Потребление энергии 3 Вт
- Цвет черный
- ТНВЭД 8473302008
- Количество контактов 204
- Подсветка Нет
- Тип памяти SO-DIMM
- Тип поставки RTL
- Поддержка ECC Нет
- Поддержка водяного охлаждения Нет
- Поддержка Reg Нет
- Нормальная операционная температура (Tcase) 85 °C
- Радиатор Нет
- Игровая Нет
- Row Precharge Delay (tRP) 11
- Объем одного модуля (ГБ) 4
- Тайминги 11-11-11-28
- Расширенная операционная температура (Tcase) 95
- Количество рангов 1
- RAS to CAS Delay (tRCD) 11
- Напряжение (В) 1.35
- Частота (MHz) 1600
- CAS Latency (CL) 11
- Тип памяти DDR DDR3
- Activate to Precharge Delay (tRAS) 28
- Пропускная способность (МБ/с) 12800
- Количество модулей в комплекте (шт) 1
- Низкопрофильная (Low Profile) Нет
- Общий объем памяти (ГБ) 4